Pente de Memória de 128 GB e Preços

By Editor
In Tecnologia
dez 2nd, 2015
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Novo pente de memória de 128 GB usa interconexão TSV

A Samsung revelou na semana passada que está produzindo em massa pente de memória com a maior capacidade e maior eficiência de memória do que qualquer módulo DRAM. O pente com 128 GB DDR4 utiliza a tecnologia de interconexão TSV.

Apesar de não ser novo, o circuito avançado prevê a possibilidade de um aumento significativo na transmissão do sinal.

Os módulos de 128GB são compostos de 144 fichas DDR4 dispostas em pacotes 4GB DRAM (18 por lado para um total de 36), cada um contendo quatro chips de 20nm 8GB. Samsung diz que os módulos têm um design especial em que o chip mestre de cada pacote 4GB incorpora a função de buffer de dados, otimizando ainda mais o desempenho e consumo de energia.

O resultado final é um módulo que oferece velocidades de até 2,400Mbps que é quase o dobro do desempenho e metade do consumo de energia dos mais altos módulos DRAM de capacidade anteriores, 64GB LRDIMMs. A Samsung disse a capacidade anterior foi dificultada por limitações de potência e velocidade devido ao seu uso de soldagem de fios convencional.

Como você já deve ter imaginado até agora, esses módulos são projetados para aplicações de servidores corporativos e centros de dados.

Samsung disse que planeja lançar uma linha completa de módulos DRAM TSV ao longo das próximas semanas, além de promover a transferência de dados com velocidades de até 3,200Mbps.

Ainda não foram divulgadas informações sobre o preço ou disponibilidade do pente de 128 GB até o momento.

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